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By Leonhard Stiny

Das Werk bietet ein umfangreiches Wissen über diskrete und integrierte Bauelemente der Halbleitertechnik. Beim Entwurf elektronischer Schaltungen sind gründliche Kenntnisse über eingesetzte Bauelemente erforderlich, um sowohl technisch als auch wirtschaftlich beste Lösungen zu finden und fehlerfreie Produkte zu realisieren. Als foundation werden die theoretischen und physikalischen Grundlagen der Halbleitertechnik vermittelt. Für alle Halbleiter-Bauelemente werden Aufbau, Wirkungsweise, Kenngrößen, Eigenschaften und Charakteristiken erläutert. Mögliche Anwendungen werden unter Bezug auf die Praxis aufgezeigt. Das Buch kann im Studium, in der Lehre sowie als Nachschlagewerk in der Praxis verwendet werden.

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Die möglichen Energiewerte, die die beiden Atome annehmen können, liegen auf der gleichen Höhe wie bei einem einzelnen Atom. Bringt man die beiden Atome näher zusammen, so überlappen sich die Elektronenbahnen und beide Atome treten miteinander in Wechselwirkung (Abb. 11). Dies bewirkt – ähnlich wie bei gekoppelten Resonatoren – eine Aufspaltung der möglichen Energieniveaus, die umso stärker ist, je größer die Kopplung, d. h. je geringer der Abstand zwischen den beiden Atomen ist. 4 Bändermodell und Fermi-Statistik Bei n Atomen müssen sich die Energiezustände jeweils n-fach aufspalten.

Wie Luftbläschen in einer Flüssigkeit zur Oberfläche aufsteigen, so halten sich die Löcher vorzugsweise am oberen Ende des Valenzbandes in der Nähe der Valenzbandkante EV auf. Metalle besitzen in der Regel ein bis drei Valenzelektronen in der äußeren Schale der Atomhülle. Die Anzahl dieser Valenzelektronen gibt die Wertigkeit des Atoms an. So ist z. B. das Kupferatom mit einem Valenzelektron ein einwertiges Atom. Bei Metallen 20 2 Grundlagen der Halbleiter Abb. 15 Valenz- und Leitungsbänder bei Metallen kommt es vor, dass sich das Valenzband und das Leitungsband überlappen, wie dies in Abb.

Diffusionskonstante und Beweglichkeit sind über die Einstein-Beziehung miteinander verknüpft. 33) vN D n;p E Der ungeordneten thermischen Bewegung überlagert sich eine vorzugsweise Komponente in Feldrichtung. Insgesamt ist die Bewegung nicht beschleunigt, sie wird durch die Stöße mit den Gitterbausteinen auf einen konstanten mittleren Wert begrenzt. Die spezifische Leitfähigkeit eines Halbleiters, bei dem sowohl Elektronen als auch Löcher zur Leitfähigkeit beitragen, ist: D jej . 35) Beim intrinsischen Halbleiter mit p D n D ni gilt: i D jej ni .

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